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  • - Low Cross-interference 
  • - Antenna Measurement
  • - Electromagnetic Measurement
  • - Electromagnetic Compatibility Testing (EMC test)
  • - Ultra-wideband Radar Detection
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財經中心/廖珪如報導

受惠於 DRAM 市場供需結構性轉變與 DDR4 價格急漲,華邦電在本輪記憶體循環中的獲利彈性與評價空間,均高於過往。。(示意圖/PIXABAY)

記憶體大廠華邦電(2344)受惠於 DRAM 市場供需結構性轉變與 DDR4 價格急漲,分析人士指出,自 2025 年下半年起,非 AI 記憶體產能持續遭到 AI 應用排擠,使得 DDR4 供給快速收緊,帶動報價與獲利顯著回升。在此背景下,分析師預估華邦電 2025 年與 2026 年稅後每股盈餘(EPS)分別為 0.91 元與 7.52 元。由於記憶體報價漲幅高於先前預期,市場維持對該公司正向看法,並將其目標價上調至 120.3 元,以 2026 年預估 EPS 給予 16 倍本益比評價。

合約價與現貨齊揚:客戶轉向長約鎖定有效供給

Open Boundary Quad-Ridged Horn Antenna市場資料顯示,2025 年第四季 DDR4 8Gb 合約價季增約 43%,現貨價格漲幅更接近 200%。在供需仍高度吃緊的情況下,業界預期 2026 年第一季 DRAM 合約價格漲幅至少達 30%。分析人士指出,這一波價格走勢已促使過去難以切入的客戶主動洽談長期合作,反映市場對 DDR4 產品需求強勁。財報顯示,華邦電 2025 年第三季合併營收為 217.71 億元,季增 3.6%。其中,記憶體相關營收為 141.32 億元,季增 10.2%、年增 9.2%。產品組合方面,客製化記憶體解決方案(CMS)佔營收約 30%,Flash 佔 35%,邏輯產品佔 33%,其中 CMS 成為當季最主要成長動能。

毛利顯著擴張:庫存回沖與產品組合優化推升獲利

受惠於記憶體報價上漲與庫存回沖利益,華邦電第三季合併毛利率升至 46.69%,較前一年同期大幅改善。記憶體產品毛利率由年初約 12% 大幅提升至 51%,邏輯產品毛利率則維持在約 36% 的穩定水準,推動單季稅後 EPS 達 0.65 元。在產能與資本支出方面,華邦電正加快投資步伐,以提升有效產出與交付能力。公司 2025 年資本支出約為 73 億元新台幣,年減逾五成,但主要用於關鍵設備與製程優化。

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資本支出大爆發:大舉布局 CMS 產能建置迎向循環高峰

展望未來,2026 年至 2027 年資本支出規模預估接近 400 億元新台幣,其中約 50 億元將用於台中廠 Flash 擴產,其餘約 350 億元將投入 CMS 產能建置。分析人士指出,在 AI 需求持續擴張、非 AI 記憶體供給受限的結構性環境下,DDR4 與利基型記憶體報價仍具支撐,搭配產能與製程升級進度,華邦電在本輪記憶體循環中的獲利彈性與評價空間,均高於過往。

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本文出自: https://www.setn.com/News.aspx?NewsID=1776728
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